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| Numero di parte | SI3440DV-T1-GE3 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 150V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 1.2A (Ta) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 6V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 1.14W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 375 mOhm @ 1.5A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 6-TSOP |
| Pacchetto / caso | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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SI3440ADV-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 150V 2.2A 6TSOP | - | 446630 | Dettagli |
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SI3440DV-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 150V 1.2A 6-TSOP | - | 6000 | Dettagli |
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SI3440DV-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 150V 1.2A 6-TSOP | - | 3000 | Dettagli |
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SI3441BDV-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 2.45A 6-TSOP | - | 0 | Dettagli |
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SI3441BDV-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 2.45A 6-TSOP | - | 0 | Dettagli |
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SI3442BDV-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V 3A 6-TSOP | - | 9000 | Dettagli |
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SI3442BDV-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V 3A 6-TSOP | - | 0 | Dettagli |
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SI3442CDV-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V 8A 6TSOP | - | 0 | Dettagli |
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SI3442DV | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 20V 4.1A SSOT-6 | 0 | Dettagli | |
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SI3443BDV-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 3.6A 6-TSOP | - | 18000 | Dettagli |
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SI3443BDV-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 3.6A 6-TSOP | - | 0 | Dettagli |
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SI3443CDV-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 5.97A 6TSOP | - | 3000 | Dettagli |