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| Numero di parte | SI2308BDS-T1-E3 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 2.3A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6.8nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 190pF @ 30V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 1.09W (Ta), 1.66W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 156 mOhm @ 1.9A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-23-3 (TO-236) |
| Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
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SI2300-TP | Micro Commercial Co | N-CHANNELMOSFETSSOT-23 PACKAGE | - | 866581 | Dettagli |
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SI2300DS-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 3.6A SOT-23 | - | 36000 | Dettagli |
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SI2301-TP | Micro Commercial Co | MOSFET P-CH 20V 2.8A SOT-23 | - | 0 | Dettagli |
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SI2301A-TP | Micro Commercial Co | P-CHANNELMOSFETSSOT-23 PACKAGE | - | 866581 | Dettagli |
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SI2301BDS-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 2.2A SOT23-3 | - | 81000 | Dettagli |
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SI2301BDS-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 2.2A SOT23-3 | - | 3000 | Dettagli |
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SI2301CDS-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23-3 | - | 84000 | Dettagli |
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SI2301CDS-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23-3 | - | 108000 | Dettagli |
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SI2302-TP | Micro Commercial Co | MOSFET N-CH 20V 3A SOT-23 | - | 15000 | Dettagli |
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SI2302A-TP | Micro Commercial Co | N-CHANNELMOSFETSSOT-23 PACKAGE | - | 469591 | Dettagli |
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SI2302ADS-T1 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V 2.1A SOT23-3 | - | 0 | Dettagli |
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SI2302ADS-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V 2.1A SOT23-3 | - | 0 | Dettagli |