TPCA8007-H(TE12L,Q

MOSFET N-CH 100V 20A 8-SOPA
TPCA8007-H(TE12L,Q P1
TPCA8007-H(TE12L,Q P1
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Toshiba Semiconductor and Storage ~ TPCA8007-H(TE12L,Q

Numero di parte
TPCA8007-H(TE12L,Q
fabbricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione
MOSFET N-CH 100V 20A 8-SOPA
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Scheda dati
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Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
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Numero di parte TPCA8007-H(TE12L,Q
Stato parte Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 20A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1000pF @ 10V
Vgs (massimo) ±20V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 1.6W (Ta), 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 47 mOhm @ 10A, 10V
temperatura di esercizio 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore 8-SOP Advance (5x5)
Pacchetto / caso 8-PowerVDFN

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