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| Numero di parte | TK12A50D(STA4,Q,M) |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 12A (Ta) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1350pF @ 25V |
| Vgs (massimo) | ±30V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 45W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 520 mOhm @ 6A, 10V |
| temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220SIS |
| Pacchetto / caso | TO-220-3 Full Pack |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
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TK12A50D(STA4,Q,M) | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 500V 12A TO-220SIS | - | 0 | Dettagli |
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TK12A50E,S4X | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 500V TO220SIS | 144 | Dettagli | |
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TK12A50E,S5X | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 500V TO220SIS | - | 33431 | Dettagli |
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TK12A53D(STA4,Q,M) | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 525V 12A TO-220SIS | - | 0 | Dettagli |
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TK12A55D(STA4,Q,M) | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 550V 12A TO-220SIS | - | 0 | Dettagli |