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| Numero di parte | SSM3K01T(TE85L,F) |
|---|---|
| Stato parte | Obsolete |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 3.2A (Ta) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 2.5V, 4V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 152pF @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±10V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 1.25W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 120 mOhm @ 1.6A, 4V |
| temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TSM |
| Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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SSM3K01T(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 30V 3.2A TSM | - | 0 | Dettagli |
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SSM3K09FU,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | X34 PB USM S-MOS (LF) TRANSISTOR | - | 9000 | Dettagli |