HN1B04FE-Y,LF

TRANS NPN/PNP 50V 0.15A ES6
HN1B04FE-Y,LF P1
HN1B04FE-Y,LF P1
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Toshiba Semiconductor and Storage ~ HN1B04FE-Y,LF

Numero di parte
HN1B04FE-Y,LF
fabbricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione
TRANS NPN/PNP 50V 0.15A ES6
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Scheda dati
- HN1B04FE-Y,LF PDF online browsing
Famiglia
Transistor - Bipolari (BJT) - Array
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Numero di parte HN1B04FE-Y,LF
Stato parte Active
Transistor Type NPN, PNP
Corrente - Collector (Ic) (Max) 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 10mA, 100mA
Corrente - Limite del collettore (max) 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 120 @ 2mA, 6V
Potenza - Max 100mW
Frequenza - Transizione 80MHz
temperatura di esercizio 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso SOT-563, SOT-666
Pacchetto dispositivo fornitore ES6

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