CUS10I30A(TE85L,QM

DIODE SCHOTTKY 30V 1A US-FLAT
CUS10I30A(TE85L,QM P1
CUS10I30A(TE85L,QM P1
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Toshiba Semiconductor and Storage ~ CUS10I30A(TE85L,QM

Numero di parte
CUS10I30A(TE85L,QM
fabbricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione
DIODE SCHOTTKY 30V 1A US-FLAT
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Scheda dati
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Famiglia
Diodi - Raddrizzatori - Singoli
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Numero di parte CUS10I30A(TE85L,QM
Stato parte Active
Tipo diodo Schottky
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) 30V
Corrente - Rettificato medio (Io) 1A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 390mV @ 700mA
Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr) -
Corrente - Perdita inversa @ Vr 60µA @ 30V
Capacità @ Vr, F 50pF @ 10V, 1MHz
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso SC-76, SOD-323
Pacchetto dispositivo fornitore US-FLAT (1.25x2.5)
Temperatura operativa - Giunzione 150°C (Max)

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