CMF04(TE12L,Q,M)

DIODE GEN PURP 800V 500MA MFLAT
CMF04(TE12L,Q,M) P1
CMF04(TE12L,Q,M) P1
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Toshiba Semiconductor and Storage ~ CMF04(TE12L,Q,M)

Numero di parte
CMF04(TE12L,Q,M)
fabbricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione
DIODE GEN PURP 800V 500MA MFLAT
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Scheda dati
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Famiglia
Diodi - Raddrizzatori - Singoli
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Numero di parte CMF04(TE12L,Q,M)
Stato parte Active
Tipo diodo Standard
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) 800V
Corrente - Rettificato medio (Io) 500mA
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 2.5V @ 500mA
Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr) 100ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr 50µA @ 800V
Capacità @ Vr, F -
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso SOD-128
Pacchetto dispositivo fornitore M-FLAT (2.4x3.8)
Temperatura operativa - Giunzione -40°C ~ 150°C

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