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| Numero di parte | 1SS387CT,L3F |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo diodo | Standard |
| Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 80V |
| Corrente - Rettificato medio (Io) | 100mA |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.2V @ 100mA |
| Velocità | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
| Tempo di recupero inverso (trr) | 1.6ns |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 500nA @ 80V |
| Capacità @ Vr, F | 0.5pF @ 0V, 1MHz |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / caso | SOD-882 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | CST2 |
| Temperatura operativa - Giunzione | 150°C (Max) |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
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1SS300,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | DIODE ARRAY GP 80V 100MA USM | - | 0 | Dettagli |
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1SS301,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | DIODE ARRAY GP 80V 100MA USM | - | 0 | Dettagli |
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1SS301SU,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | DIODE ARRAY GP 80V 100MA SC70 | - | 0 | Dettagli |
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1SS302A,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | DIODE SW 80V 100MA USM SC70 | 0 | Dettagli | |
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1SS302TE85LF | Toshiba Semiconductor and Storage | DIODE ARRAY GP 80V 100MA SC70 | - | 6000 | Dettagli |
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1SS306TE85LF | Toshiba Semiconductor and Storage | DIODE ARRAY GP 200V 100MA SC61B | - | 0 | Dettagli |
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1SS307(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | DIODE GEN PURP 30V 100MA SMINI | - | 0 | Dettagli |
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1SS307E,L3F | Toshiba Semiconductor and Storage | DIODE SW GP 80V 100MA ESC | 9628 | Dettagli | |
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1SS308(TE85L,F | Toshiba Semiconductor and Storage | DIODE ARRAY GP 80V 100MA SC74A | - | 0 | Dettagli |
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1SS309(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | DIODE ARRAY GP 80V 100MA SMV | - | 6000 | Dettagli |
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1SS315TPH3F | Toshiba Semiconductor and Storage | DIODE SCHOTTKY 5V 30MA USC | 9060 | Dettagli | |
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1SS319(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | DIODE SCHOTKY GP 40V 100MA SC61B | - | 9000 | Dettagli |