SF1003GHC0G

DIODE GEN PURP 150V 10A TO220AB
SF1003GHC0G P1
SF1003GHC0G P1
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Taiwan Semiconductor Corporation ~ SF1003GHC0G

Numero di parte
SF1003GHC0G
fabbricante
Taiwan Semiconductor Corporation
Descrizione
DIODE GEN PURP 150V 10A TO220AB
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Scheda dati
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Famiglia
Diodi - Raddrizzatori - Singoli
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Numero di parte SF1003GHC0G
Stato parte Active
Tipo diodo Standard
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) 150V
Corrente - Rettificato medio (Io) 10A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 975mV @ 5A
Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr) 35ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr 10µA @ 150V
Capacità @ Vr, F 70pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto / caso TO-220-3
Pacchetto dispositivo fornitore TO-220AB
Temperatura operativa - Giunzione -55°C ~ 150°C

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