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| Numero di parte | S1JMHRSG |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo diodo | Standard |
| Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
| Corrente - Rettificato medio (Io) | 1A |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 1A |
| Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | 780ns |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1µA @ 600V |
| Capacità @ Vr, F | 5pF @ 4V, 1MHz |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / caso | 2-SMD, Flat Lead |
| Pacchetto dispositivo fornitore | Micro SMA |
| Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 175°C |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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S1J | Fairchild/ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 600V 1A SMA | - | 37500 | Dettagli |
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S1J M2G | Taiwan Semiconductor Corporation | DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC | - | 1361872 | Dettagli |
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S1J R3G | Taiwan Semiconductor Corporation | DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC | - | 1041432 | Dettagli |
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S1J-13 | Diodes Incorporated | DIODE GEN PURP 600V 1A SMA | 0 | Dettagli | |
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S1J-13-F | Diodes Incorporated | DIODE GEN PURP 600V 1A SMA | - | 154000 | Dettagli |
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S1J-E3/51T | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC | 0 | Dettagli | |
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S1J-E3/5AT | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC | - | 0 | Dettagli |
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S1J-E3/61T | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC | - | 90000 | Dettagli |
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S1J-F | SMC Diode Solutions | SMT GLASS PASSIVATED RECTIFIER | - | 25822 | Dettagli |
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S1J-JR2 | Taiwan Semiconductor Corporation | STANDARD RECOVERY RECTIFIER | - | 8406 | Dettagli |
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S1J-JR3 | Taiwan Semiconductor Corporation | STANDARD RECOVERY RECTIFIER | - | 25809 | Dettagli |
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S1J-KR2G | Taiwan Semiconductor Corporation | STANDARD RECOVERY RECTIFIER | - | 1769008 | Dettagli |