STS8C5H30L

MOSFET N/P-CH 30V 8A/5.4A 8SOIC
STS8C5H30L P1
STS8C5H30L P1
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STMicroelectronics ~ STS8C5H30L

Numero di parte
STS8C5H30L
fabbricante
STMicroelectronics
Descrizione
MOSFET N/P-CH 30V 8A/5.4A 8SOIC
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Scheda dati
- STS8C5H30L PDF online browsing
Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Array
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Numero di parte STS8C5H30L
Stato parte Active
Tipo FET N and P-Channel
Caratteristica FET Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 8A, 5.4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 22 mOhm @ 4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10nC @ 5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 857pF @ 25V
Potenza - Max 2W
temperatura di esercizio 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore 8-SO

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