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| Numero di parte | STQ1NK80ZR-AP |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 300mA (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 50µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7.7nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 160pF @ 25V |
| Vgs (massimo) | ±30V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 3W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16 Ohm @ 500mA, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-92-3 |
| Pacchetto / caso | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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STQ1NC45R-AP | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 450V 0.5A TO-92 | 0 | Dettagli | |
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STQ1NK60ZR-AP | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 0.3A TO-92 | - | 10000 | Dettagli |
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STQ1NK80ZR-AP | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 800V 0.3A TO-92 | - | 26000 | Dettagli |