STN1NF10

MOSFET N-CH 100V 1A SOT-223
STN1NF10 P1
STN1NF10 P1
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STMicroelectronics ~ STN1NF10

Numero di parte
STN1NF10
fabbricante
STMicroelectronics
Descrizione
MOSFET N-CH 100V 1A SOT-223
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Scheda dati
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Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
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Numero di parte STN1NF10
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 1A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 105pF @ 25V
Vgs (massimo) ±20V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 2.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 800 mOhm @ 500mA, 10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore SOT-223
Pacchetto / caso TO-261-4, TO-261AA

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