STF10N60M2

MOSFET N-CH 600V TO-220FP
STF10N60M2 P1
STF10N60M2 P1
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STMicroelectronics ~ STF10N60M2

Numero di parte
STF10N60M2
fabbricante
STMicroelectronics
Descrizione
MOSFET N-CH 600V TO-220FP
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Scheda dati
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Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
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Numero di parte STF10N60M2
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 7.5A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 13.5nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 400pF @ 100V
Vgs (massimo) ±25V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 600 mOhm @ 4A, 10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore TO-220FP
Pacchetto / caso TO-220-3 Full Pack

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