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| Numero di parte | STB100NF03L-03-1 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 100A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 88nC @ 5V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 6200pF @ 25V |
| Vgs (massimo) | ±16V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 300W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.2 mOhm @ 50A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | I2PAK |
| Pacchetto / caso | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
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STB100N10F7 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK | - | 0 | Dettagli |
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STB100N6F7 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 60V 100A F7 D2PAK | 0 | Dettagli | |
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STB100NF03L-03-1 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 30V 100A I2PAK | - | 165 | Dettagli |
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STB100NF03L-03T4 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK | - | 4000 | Dettagli |
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STB100NF04T4 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK | - | 0 | Dettagli |
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STB100NH02LT4 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 24V 60A D2PAK | - | 0 | Dettagli |