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| Numero di parte | 1N5222BTA |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Voltage - Zener (Nom) (Vz) | 2.5V |
| Tolleranza | ±5% |
| Potenza - Max | 500mW |
| Impedenza (Max) (Zzt) | 30 Ohm |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100µA @ 950mV |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 200mA |
| temperatura di esercizio | 200°C |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / caso | DO-204AH, DO-35, Axial |
| Pacchetto dispositivo fornitore | DO-35 |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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1N5059GP-E3/54 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AC | - | 8000 | Dettagli |
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1N5059GPHE3/54 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AC | - | 0 | Dettagli |
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1N5059TAP | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE AVALANCHE 200V 2A SOD57 | - | 0 | Dettagli |
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1N5059TR | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE AVALANCHE 200V 2A SOD57 | - | 0 | Dettagli |
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1N5060 TR | Central Semiconductor Corp | DIODE GEN PURP 400V 1A GPR-1A | - | 0 | Dettagli |
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1N5060GP-E3/54 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AC | - | 8000 | Dettagli |
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1N5060GP-E3/73 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AC | - | 0 | Dettagli |
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1N5060GPHE3/54 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AC | - | 0 | Dettagli |
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1N5060GPHE3/73 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AC | - | 0 | Dettagli |
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1N5060TAP | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE AVALANCHE 400V 2A SOD57 | - | 0 | Dettagli |
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1N5060TR | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE AVALANCHE 400V 2A SOD57 | - | 20000 | Dettagli |
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1N5061 TR | Central Semiconductor Corp | DIODE GEN PURP 600V 1A GPR-1A | - | 0 | Dettagli |