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| Numero di parte | F40A |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo diodo | Standard |
| Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 4000V |
| Corrente - Rettificato medio (Io) | 100mA |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 8V @ 100mA |
| Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | 300ns |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1µA @ 4000V |
| Capacità @ Vr, F | 2pF @ 5V, 1MHz |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / caso | Axial |
| Pacchetto dispositivo fornitore | - |
| Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 175°C |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
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F4-50R07W2H3_B51 | Infineon Technologies | IGBT MODULE VCES 650V 50A | - | 1378 | Dettagli |
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F40 | XP Power | DC DC CONVERTER 4000V 10W | - | 18 | Dettagli |
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F40A | Semtech Corporation | DIODE GEN PURP 4KV 100MA AXIAL | - | 0 | Dettagli |
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F40J100 | Ohmite | RES CHAS MNT 100 OHM 5% 40W | - | 0 | Dettagli |
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F40J100E | Ohmite | RES CHAS MNT 100 OHM 5% 40W | - | 18 | Dettagli |
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F40J10K | Ohmite | RES CHAS MNT 10K OHM 5% 40W | - | 0 | Dettagli |
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F40J10KE | Ohmite | RES CHAS MNT 10K OHM 5% 40W | - | 0 | Dettagli |
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F40J10R | Ohmite | RES CHAS MNT 10 OHM 5% 40W | - | 0 | Dettagli |
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F40J10RE | Ohmite | RES CHAS MNT 10 OHM 5% 40W | - | 0 | Dettagli |
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F40J150 | Ohmite | RES CHAS MNT 150 OHM 5% 40W | - | 0 | Dettagli |
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F40J150E | Ohmite | RES CHAS MNT 150 OHM 5% 40W | - | 0 | Dettagli |
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F40J15K | Ohmite | RES CHAS MNT 15K OHM 5% 40W | - | 0 | Dettagli |