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| Numero di parte | UT6J3TCR |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | 2 P-Channel (Dual) |
| Caratteristica FET | - |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 3A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 85 mOhm @ 3A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8.5nC @ 4.5V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2000pF @ 10V |
| Potenza - Max | 2W |
| temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / caso | 6-UDFN Exposed Pad |
| Pacchetto dispositivo fornitore | HUML2020L8 |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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UT6J3TCR | Rohm Semiconductor | -20V PCH+PCH POWER MOSFET | - | 3000 | Dettagli |
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UT6JA2TCR | Rohm Semiconductor | -30V PCH+PCH MIDDLE POWER MOSFET | - | 0 | Dettagli |
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UT6K3TCR | Rohm Semiconductor | 30V NCH+NCH MIDDLE POWER MOSFET | - | 0 | Dettagli |
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UT6MA3TCR | Rohm Semiconductor | 20V NCH+PCH MIDDLE POWER MOSFET | - | 0 | Dettagli |