SH8KA2GZETB

30V NCH+NCH MIDDLE POWER MOSFET
SH8KA2GZETB P1
SH8KA2GZETB P1
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Rohm Semiconductor ~ SH8KA2GZETB

Numero di parte
SH8KA2GZETB
fabbricante
Rohm Semiconductor
Descrizione
30V NCH+NCH MIDDLE POWER MOSFET
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Scheda dati
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Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Array
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Numero di parte SH8KA2GZETB
Stato parte Active
Tipo FET 2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET -
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 28 mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 330pF @ 15V
Potenza - Max 2.8W
temperatura di esercizio 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore 8-SOP

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