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| Numero di parte | SH8J31GZETB |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | 2 P-Channel (Dual) |
| Caratteristica FET | - |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 4.5A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 70 mOhm @ 4.5A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 40nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2500pF @ 10V |
| Potenza - Max | 2W |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SOP |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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SH8J31GZETB | Rohm Semiconductor | 60V PCH+PCH MIDDLE POWER MOSFET | - | 0 | Dettagli |
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SH8J62TB1 | Rohm Semiconductor | MOSFET 2P-CH 30V 4.5A SOP8 | 0 | Dettagli | |
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SH8J65TB1 | Rohm Semiconductor | MOSFET 2P-CH 30V 7A SOP8 | 0 | Dettagli | |
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SH8J66TB1 | Rohm Semiconductor | MOSFET 2P-CH 30V 9A SOP8 | 0 | Dettagli |