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| Numero di parte | RSE002N06TL |
|---|---|
| Stato parte | Not For New Designs |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 250mA (Ta) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 2.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.3V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 15pF @ 25V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 150mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.4 Ohm @ 250mA, 10V |
| temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | EMT3 |
| Pacchetto / caso | SC-75, SOT-416 |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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RSE002N06TL | Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 0.25A EMT3 | - | 9000 | Dettagli |
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RSE002P03TL | Rohm Semiconductor | MOSFET P-CH 30V 200MA SOT416 | - | 3000 | Dettagli |