EM6K1T2R

MOSFET 2N-CH 30V .1A EMT6
EM6K1T2R P1
EM6K1T2R P2
EM6K1T2R P1
EM6K1T2R P2
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Rohm Semiconductor ~ EM6K1T2R

Numero di parte
EM6K1T2R
fabbricante
Rohm Semiconductor
Descrizione
MOSFET 2N-CH 30V .1A EMT6
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Scheda dati
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Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Array
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Numero di parte EM6K1T2R
Stato parte Not For New Designs
Tipo FET 2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 100mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8 Ohm @ 10mA, 4V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 13pF @ 5V
Potenza - Max 150mW
temperatura di esercizio 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso SOT-563, SOT-666
Pacchetto dispositivo fornitore EMT6

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