BSM300D12P2E001

MOSFET 2N-CH 1200V 300A
BSM300D12P2E001 P1
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Rohm Semiconductor ~ BSM300D12P2E001

Numero di parte
BSM300D12P2E001
fabbricante
Rohm Semiconductor
Descrizione
MOSFET 2N-CH 1200V 300A
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Scheda dati
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Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Array
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Numero di parte BSM300D12P2E001
Stato parte Active
Tipo FET 2 N-Channel (Half Bridge)
Caratteristica FET Standard
Drain to Source Voltage (Vdss) 1200V (1.2kV)
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 300A
Rds On (Max) @ Id, Vgs -
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 68mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 35000pF @ 10V
Potenza - Max 1875W
temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Chassis Mount
Pacchetto / caso Module
Pacchetto dispositivo fornitore Module

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