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| Numero di parte | QJD1210010 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Caratteristica FET | Standard |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 100A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25 mOhm @ 100A, 20V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 10mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 500nC @ 20V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 10200pF @ 800V |
| Potenza - Max | 1080W |
| temperatura di esercizio | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Chassis Mount |
| Pacchetto / caso | Module |
| Pacchetto dispositivo fornitore | Module |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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QJD1210010 | Powerex Inc. | MOSFET 2N-CH 1200V 100A SIC | - | 0 | Dettagli |
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QJD1210011 | Powerex Inc. | MOSFET 2N-CH 1200V 100A SIC | - | 0 | Dettagli |
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QJD1210SA1 | Powerex Inc. | MOSFET 2N-CH 1200V 100A SIC | - | 0 | Dettagli |
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QJD1210SA2 | Powerex Inc. | MOSFET 2N-CH 1200V 100A SIC | - | 0 | Dettagli |
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QJD1210SB1 | Powerex Inc. | MOD MOSFET 1200V 10A DUAL SIC | - | 0 | Dettagli |