2SJ058200L

MOSFET P-CH 200V 2A U-G2
2SJ058200L P1
2SJ058200L P2
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Panasonic Electronic Components ~ 2SJ058200L

Numero di parte
2SJ058200L
fabbricante
Panasonic Electronic Components
Descrizione
MOSFET P-CH 200V 2A U-G2
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Scheda dati
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Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
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Numero di parte 2SJ058200L
Stato parte Obsolete
Tipo FET P-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 200V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 2A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 400pF @ 20V
Vgs (massimo) ±20V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 1W (Ta), 10W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2 Ohm @ 1A, 10V
temperatura di esercizio 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore U-G2
Pacchetto / caso TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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