NVMD6N04R2G

MOSFET 2N-CH 40V 4.6A 8-SOIC
NVMD6N04R2G P1
NVMD6N04R2G P1
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ON Semiconductor ~ NVMD6N04R2G

Numero di parte
NVMD6N04R2G
fabbricante
ON Semiconductor
Descrizione
MOSFET 2N-CH 40V 4.6A 8-SOIC
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Scheda dati
- NVMD6N04R2G PDF online browsing
Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Array
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Numero di parte NVMD6N04R2G
Stato parte Active
Tipo FET 2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET Standard
Drain to Source Voltage (Vdss) 40V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 4.6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 34 mOhm @ 5.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 30nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 900pF @ 32V
Potenza - Max 1.29W
temperatura di esercizio -
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore 8-SOIC

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