NTMD4820NR2G

MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8SOIC
NTMD4820NR2G P1
NTMD4820NR2G P1
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ON Semiconductor ~ NTMD4820NR2G

Numero di parte
NTMD4820NR2G
fabbricante
ON Semiconductor
Descrizione
MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8SOIC
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Scheda dati
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Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Array
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Numero di parte NTMD4820NR2G
Stato parte Active
Tipo FET 2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 4.9A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 20 mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7.7nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 940pF @ 15V
Potenza - Max 750mW
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore 8-SOIC

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