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| Numero di parte | NTLJD3182FZTBG |
|---|---|
| Stato parte | Obsolete |
| Tipo FET | P-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 2.2A (Ta) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 1.8V, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7.8nC @ 4.5V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 450pF @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±8V |
| Caratteristica FET | Schottky Diode (Isolated) |
| Dissipazione di potenza (max) | 710mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100 mOhm @ 2A, 4.5V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 6-WDFN (2x2) |
| Pacchetto / caso | 6-WDFN Exposed Pad |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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NTLJD2104PTAG | ON Semiconductor | MOSFET 2P-CH 12V 2.4A 6WDFN | - | 0 | Dettagli |
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NTLJD2104PTBG | ON Semiconductor | MOSFET 2P-CH 12V 2.4A 6WDFN | - | 0 | Dettagli |
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NTLJD2105LTBG | ON Semiconductor | MOSFET N/P-CH 8V 2.5A 6-WDFN | - | 0 | Dettagli |
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NTLJD3115PT1G | ON Semiconductor | MOSFET 2P-CH 20V 2.3A 6-WDFN | - | 9000 | Dettagli |
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NTLJD3115PTAG | ON Semiconductor | MOSFET 2P-CH 20V 2.3A 6-WDFN | - | 0 | Dettagli |
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NTLJD3119CTAG | ON Semiconductor | MOSFET N/P-CH 20V 6WDFN | - | 0 | Dettagli |
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NTLJD3119CTBG | ON Semiconductor | MOSFET N/P-CH 20V 6WDFN | - | 15000 | Dettagli |
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NTLJD3181PZTAG | ON Semiconductor | MOSFET 2P-CH 20V 2.2A 6WDFN | - | 0 | Dettagli |
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NTLJD3181PZTBG | ON Semiconductor | MOSFET 2P-CH 20V 2.2A 6WDFN | - | 0 | Dettagli |
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NTLJD3182FZTAG | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-WDFN | - | 0 | Dettagli |
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NTLJD3182FZTBG | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-WDFN | - | 0 | Dettagli |
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NTLJD3183CZTAG | ON Semiconductor | MOSFET N/P-CH 20V 6WDFN | - | 0 | Dettagli |