NTJS3151PT2

MOSFET P-CH 12V 2.7A SOT-363
NTJS3151PT2 P1
NTJS3151PT2 P1
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ON Semiconductor ~ NTJS3151PT2

Numero di parte
NTJS3151PT2
fabbricante
ON Semiconductor
Descrizione
MOSFET P-CH 12V 2.7A SOT-363
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Scheda dati
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Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
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Numero di parte NTJS3151PT2
Stato parte Obsolete
Tipo FET P-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 12V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 2.7A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 1.8V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 400mV @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8.6nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 850pF @ 12V
Vgs (massimo) ±12V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 625mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 60 mOhm @ 3.3A, 4.5V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore SC-88/SC70-6/SOT-363
Pacchetto / caso 6-TSSOP, SC-88, SOT-363

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