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| Numero di parte | NTHD3102CT1G |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N and P-Channel |
| Caratteristica FET | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 4A, 3.1A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 45 mOhm @ 4.4A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.2V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7.9nC @ 4.5V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 510pF @ 10V |
| Potenza - Max | 1.1W |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / caso | 8-SMD, Flat Lead |
| Pacchetto dispositivo fornitore | ChipFET™ |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
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NTHD3100CT1G | ON Semiconductor | MOSFET N/P-CH 20V CHIPFET | - | 0 | Dettagli |
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NTHD3100CT3G | ON Semiconductor | MOSFET N/P-CH 20V CHIPFET | - | 0 | Dettagli |
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NTHD3101FT3 | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 3.2A CHIPFET | - | 0 | Dettagli |
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