NSV60100DMTWTBG

DUAL TRANSISTOR PNP
NSV60100DMTWTBG P1
NSV60100DMTWTBG P1
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ON Semiconductor ~ NSV60100DMTWTBG

Numero di parte
NSV60100DMTWTBG
fabbricante
ON Semiconductor
Descrizione
DUAL TRANSISTOR PNP
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Scheda dati
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Famiglia
Transistor - Bipolari (BJT) - Array
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Numero di parte NSV60100DMTWTBG
Stato parte Active
Transistor Type 2 NPN (Dual)
Corrente - Collector (Ic) (Max) 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 100mA, 2A
Corrente - Limite del collettore (max) 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 120 @ 500mA, 2V
Potenza - Max 2.27W
Frequenza - Transizione 155MHz
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso 6-WDFN Exposed Pad
Pacchetto dispositivo fornitore 6-WDFN (2x2)

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