BUK954R4-80E,127

MOSFET N-CH 80V 120A TO220AB
BUK954R4-80E,127 P1
BUK954R4-80E,127 P2
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NXP USA Inc. ~ BUK954R4-80E,127

Numero di parte
BUK954R4-80E,127
fabbricante
NXP USA Inc.
Descrizione
MOSFET N-CH 80V 120A TO220AB
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Scheda dati
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Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
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Numero di parte BUK954R4-80E,127
Stato parte Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 80V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 120A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.1V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 123nC @ 5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 17130pF @ 25V
Vgs (massimo) ±10V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 349W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.2 mOhm @ 25A, 10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore TO-220AB
Pacchetto / caso TO-220-3

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