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| Numero di parte | PSMN9R5-100PS,127 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 89A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 82nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 4454pF @ 50V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 211W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.6 mOhm @ 15A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220AB |
| Pacchetto / caso | TO-220-3 |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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PSMN9R0-25MLC,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 25V 55A LFPAK33 | 1500 | Dettagli | |
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PSMN9R0-25YLC,115 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 25V 46A LL LFPAK | - | 0 | Dettagli |
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PSMN9R0-30LL,115 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 30V QFN3333 | - | 0 | Dettagli |
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PSMN9R0-30YL,115 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 30V 61A LFPAK | - | 0 | Dettagli |
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PSMN9R1-30YL,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 30V 57A LFPAK | 0 | Dettagli | |
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PSMN9R5-100BS,118 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 100V 89A D2PAK | 4800 | Dettagli | |
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PSMN9R5-100PS,127 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 100V TO220AB | 5216 | Dettagli | |
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PSMN9R5-100XS,127 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 100V 44.2A TO220F | - | 0 | Dettagli |
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PSMN9R5-30YLC,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 30V 44A LL LFPAK | 10500 | Dettagli | |
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PSMN9R8-30MLC,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 30V 50A LFPAK33 | 12000 | Dettagli |