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| Numero di parte | PSMN045-80YS,115 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 24A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12.5nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 675pF @ 40V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 56W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 45 mOhm @ 5A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | LFPAK56, Power-SO8 |
| Pacchetto / caso | SC-100, SOT-669 |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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PSMN040-100MSEX | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 100V 30A LFPAK33 | 15000 | Dettagli | |
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PSMN040-200W,127 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 200V 50A SOT429 | 0 | Dettagli | |
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PSMN041-80YLX | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 80V 25A LFPAK | 0 | Dettagli | |
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PSMN045-80YS,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 80V 24A LFPAK | 28500 | Dettagli |