BUK9Y40-55B,115

MOSFET N-CH 55V 26A LFPAK
BUK9Y40-55B,115 P1
BUK9Y40-55B,115 P1
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Nexperia USA Inc. ~ BUK9Y40-55B,115

Numero di parte
BUK9Y40-55B,115
fabbricante
Nexperia USA Inc.
Descrizione
MOSFET N-CH 55V 26A LFPAK
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Scheda dati
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Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
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Numero di parte BUK9Y40-55B,115
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 55V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 26A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 5V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 11nC @ 5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1020pF @ 25V
Vgs (massimo) ±15V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 59W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 36 mOhm @ 15A, 10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore LFPAK56, Power-SO8
Pacchetto / caso SC-100, SOT-669

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