BUK9MJT-55PRF,518

MOSFET 2N-CH 55V 20SOIC
BUK9MJT-55PRF,518 P1
BUK9MJT-55PRF,518 P1
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Nexperia USA Inc. ~ BUK9MJT-55PRF,518

Numero di parte
BUK9MJT-55PRF,518
fabbricante
Nexperia USA Inc.
Descrizione
MOSFET 2N-CH 55V 20SOIC
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Scheda dati
- BUK9MJT-55PRF,518 PDF online browsing
Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Array
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Numero di parte BUK9MJT-55PRF,518
Stato parte Active
Tipo FET 2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 55V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 13.8 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds -
Potenza - Max -
temperatura di esercizio -
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso 20-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore 20-SO

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