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| Numero di parte | BSP110,115 |
|---|---|
| Stato parte | Obsolete |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 520mA (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 40pF @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 6.25W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10 Ohm @ 150mA, 5V |
| temperatura di esercizio | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-223 |
| Pacchetto / caso | TO-261-4, TO-261AA |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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BSP100,135 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 30V 3.2A SOT223 | - | 0 | Dettagli |
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BSP110,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 100V 520MA SOT223 | - | 0 | Dettagli |
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BSP122,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 200V 0.55A SOT223 | 1000 | Dettagli | |
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BSP123E6327T | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 370MA SOT223 | - | 0 | Dettagli |
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BSP123L6327HTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 370MA SOT223 | - | 0 | Dettagli |
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BSP125 E6327 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223 | - | 0 | Dettagli |
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BSP125 E6433 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223 | - | 0 | Dettagli |
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BSP125H6327XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223 | 1000 | Dettagli | |
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BSP125H6433XTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223 | 0 | Dettagli | |
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BSP125L6327HTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223 | - | 0 | Dettagli |
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BSP125L6433HTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223 | - | 0 | Dettagli |
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BSP126,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 250V 375MA SOT223 | 5000 | Dettagli |