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| Numero di parte | NDTD1212C |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| genere | Isolated Module |
| Numero di uscite | 2 |
| Tensione - Ingresso (min) | 9V |
| Tensione - Ingresso (max) | 18V |
| Tensione - Uscita 1 | 12V |
| Tensione - Uscita 2 | -12V |
| Tensione - Uscita 3 | - |
| Tensione - Uscita 4 | - |
| Corrente - Uscita (max) | 125mA, 125mA |
| Potenza (Watt) | 3W |
| Tensione - Isolamento | 1kV (1000V) |
| applicazioni | ITE (Commercial) |
| Caratteristiche | - |
| temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C |
| Efficienza | 78% |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / caso | 24-DIP Module (600 mil, 8 Leads) |
| Dimensione / Dimensione | 1.27" L x 0.58" W x 0.27" H (32.3mm x 14.7mm x 6.9mm) |
| Pacchetto dispositivo fornitore | - |
| Funzioni di controllo | - |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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NDT014 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT-223-4 | - | 12000 | Dettagli |
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NDT014L | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT-223 | - | 0 | Dettagli |
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NDT01N60T1G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 0.4A SOT223 | - | 0 | Dettagli |
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NDT02N40T1G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 400V 0.4A SOT223 | - | 6000 | Dettagli |
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NDT02N60ZT1G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 300MA SOT223-4 | - | 0 | Dettagli |
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NDT02N60ZT3G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 300MA SOT223-4 | - | 0 | Dettagli |
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NDT03N40ZT1G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 400V 0.5A SOT223-4 | - | 0 | Dettagli |
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NDT03N40ZT3G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 400V 0.5A SOT223-4 | - | 0 | Dettagli |
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NDT16PFJ-8KIT | Insignis Technology Corporation | IC SDRAM 1GBIT 933MHZ 96BGA | - | 22236 | Dettagli |
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NDT16PFJ-9MET | Insignis Technology Corporation | IC SDRAM 1GBIT 933MHZ 96BGA | - | 23895 | Dettagli |
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NDT18PFH-8KIT | Insignis Technology Corporation | IC SDRAM 1GBIT 933MHZ 78BGA | - | 22236 | Dettagli |
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NDT18PFH-9MET | Insignis Technology Corporation | IC SDRAM 1GBIT 933MHZ 78BGA | - | 23895 | Dettagli |