Le immagini sono solo di riferimento.
Vedi le Specifiche del prodotto per i dettagli del prodotto.
| Numero di parte | APTM120DU15G |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Caratteristica FET | Standard |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 60A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 175 mOhm @ 30A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 10mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 748nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 20600pF @ 25V |
| Potenza - Max | 1250W |
| temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Chassis Mount |
| Pacchetto / caso | SP6 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | SP6 |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
APTM08TAM04PG | Microsemi Corporation | MOSFET 6N-CH 75V 120A SP6-P | - | 0 | Dettagli |
 |
APTM08TDUM04PG | Microsemi Corporation | MOSFET 6N-CH 75V 120A SP6-P | 0 | Dettagli | |
 |
APTM100A12STG | Microsemi Corporation | MOSFET 2N-CH 1000V 68A LP8W | 0 | Dettagli | |
|
APTM100A13DG | Microsemi Corporation | MOSFET 2N-CH 1000V 65A SP6 | - | 0 | Dettagli |
 |
APTM100A13SCG | Microsemi Corporation | MOSFET 2N-CH 1000V 65A SP6 | - | 4 | Dettagli |
 |
APTM100A13SG | Microsemi Corporation | MOSFET 2N-CH 1000V 65A SP6 | - | 46 | Dettagli |
 |
APTM100A18FTG | Microsemi Corporation | MOSFET 2N-CH 1000V 43A SP4 | - | 0 | Dettagli |
|
APTM100A23SCTG | Microsemi Corporation | MOSFET 2N-CH 1000V 36A SP4 | 0 | Dettagli | |
|
APTM100A23STG | Microsemi Corporation | MOSFET 2N-CH 1000V 36A SP4 | - | 0 | Dettagli |
|
APTM100A40FT1G | Microsemi Corporation | MOSFET 2N-CH 1000V 21A SP1 | - | 0 | Dettagli |
|
APTM100A46FT1G | Microsemi Corporation | MOSFET 2N-CH 1000V 19A SP1 | 0 | Dettagli | |
 |
APTM100AM90FG | Microsemi Corporation | MOSFET 2N-CH 1000V 78A SP6 | - | 0 | Dettagli |