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| Numero di parte | APT66M60B2 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 70A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 2.5mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 330nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 13190pF @ 25V |
| Vgs (massimo) | ±30V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 1135W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100 mOhm @ 33A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | T-MAX™ [B2] |
| Pacchetto / caso | TO-247-3 Variant |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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APT6010B2LLG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 600V 54A T-MAX | - | 4 | Dettagli |
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APT6013JLL | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 600V 39A SOT-227 | - | 2 | Dettagli |
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APT6013LLLG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 600V 43A TO-264 | - | 3 | Dettagli |
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APT6017B2LLG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 600V 35A T-MAX | - | 15579 | Dettagli |
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APT6017LFLLG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 600V 35A TO-264 | - | 15 | Dettagli |
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APT6017LLLG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 600V 35A TO-264 | - | 25 | Dettagli |
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APT6030BN | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 600V 23A TO247AD | 0 | Dettagli | |
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APT6040BN | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 600V 18A TO247AD | 0 | Dettagli | |
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APT6040BNG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 600V 18A TO247AD | 0 | Dettagli | |
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APT60D100BG | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 1KV 60A TO247 | - | 375 | Dettagli |
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APT60D100LCTG | Microsemi Corporation | DIODE ARRAY GP 1000V 60A TO264 | - | 0 | Dettagli |
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APT60D100SG | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 1KV 60A D3 | - | 0 | Dettagli |