APT200GN60JDQ4

IGBT 600V 283A 682W SOT227
APT200GN60JDQ4 P1
APT200GN60JDQ4 P2
APT200GN60JDQ4 P1
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Microsemi Corporation ~ APT200GN60JDQ4

Numero di parte
APT200GN60JDQ4
fabbricante
Microsemi Corporation
Descrizione
IGBT 600V 283A 682W SOT227
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Scheda dati
- APT200GN60JDQ4 PDF online browsing
Famiglia
Transistor - IGBT - Moduli
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Numero di parte APT200GN60JDQ4
Stato parte Active
Tipo IGBT Trench Field Stop
Configurazione Single
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V
Corrente - Collector (Ic) (Max) 283A
Potenza - Max 682W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.85V @ 15V, 200A
Corrente - Limite del collettore (max) 50µA
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce 14.1nF @ 25V
Ingresso Standard
Termistore NTC No
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio Chassis Mount
Pacchetto / caso ISOTOP
Pacchetto dispositivo fornitore ISOTOP®

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