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Microsemi Corporation ~ APT130SM70J

Numero di parte	APT130SM70J
Stato parte	Obsolete
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	SiCFET (Silicon Carbide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	700V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	78A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	45 mOhm @ 60A, 20V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	270nC @ 20V
Vgs (massimo)	+25V, -10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	3950pF @ 700V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	273W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Chassis Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	ISOTOP®
Pacchetto / caso	SOT-227-4, miniBLOC

Numero di parte	Produttori	Descrizione	PDF	Disponibile	vista
APT1001R1BN	Microsemi Corporation	MOSFET N-CH 1KV 10.5A TO247AD		0	Dettagli
APT1001RBN	Microsemi Corporation	MOSFET N-CH 1KV 11A TO247AD		0	Dettagli
APT10021JFLL	Microsemi Corporation	MOSFET N-CH 1000V 37A SOT-227	-	0	Dettagli
APT10021JLL	Microsemi Corporation	MOSFET N-CH 1000V 37A SOT-227	-	14	Dettagli
APT1002RBNG	Microsemi Corporation	MOSFET N-CH 1KV 8A TO247AD	-	0	Dettagli
APT10035B2FLLG	Microsemi Corporation	MOSFET N-CH 1000V 28A T-MAX	-	3	Dettagli
APT10035B2LLG	Microsemi Corporation	MOSFET N-CH 1000V 28A T-MAX	-	0	Dettagli
APT10035JLL	Microsemi Corporation	MOSFET N-CH 1000V 25A SOT-227	-	0	Dettagli
APT10035LLLG	Microsemi Corporation	MOSFET N-CH 1000V 28A TO-264	-	7	Dettagli
APT1003RBLLG	Microsemi Corporation	MOSFET N-CH 1000V 4A TO-247	-	30	Dettagli
APT1003RKLLG	Microsemi Corporation	MOSFET N-CH 1000V 4A TO-220		0	Dettagli
APT10045B2LLG	Microsemi Corporation	MOSFET N-CH 1000V 23A T-MAX	-	6	Dettagli