Le immagini sono solo di riferimento.
Vedi le Specifiche del prodotto per i dettagli del prodotto.
| Numero di parte | 1N914B-TP |
|---|---|
| Stato parte | Obsolete |
| Tipo diodo | Standard |
| Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
| Corrente - Rettificato medio (Io) | 200mA |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1V @ 100mA |
| Velocità | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
| Tempo di recupero inverso (trr) | 4ns |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 75V |
| Capacità @ Vr, F | - |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / caso | DO-204AH, DO-35, Axial |
| Pacchetto dispositivo fornitore | DO-35 |
| Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
1N914 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 75V 200MA DO35 | - | 599 | Dettagli |
 |
1N914-T50A | ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35 | - | 5726971 | Dettagli |
 |
1N914-TP | Micro Commercial Co | DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35 | - | 0 | Dettagli |
 |
1N914A | Fairchild/ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35 | - | 0 | Dettagli |
 |
1N914ATR | Fairchild/ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35 | - | 20000 | Dettagli |
 |
1N914A_T50R | Fairchild/ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35 | - | 0 | Dettagli |
 |
1N914B | Fairchild/ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35 | - | 13981 | Dettagli |
 |
1N914B A0G | Taiwan Semiconductor Corporation | DIODE GEN PURP 100V 150MA DO35 | - | 4786349 | Dettagli |
 |
1N914B,113 | NXP USA Inc. | DIODE GEN PURP 100V 200MA ALF2 | 0 | Dettagli | |
 |
1N914B-TP | Micro Commercial Co | DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35 | - | 0 | Dettagli |
 |
1N914BTR | Fairchild/ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35 | - | 80000 | Dettagli |
 |
1N914BTR_S00Z | ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35 | - | 10847 | Dettagli |