CPC5603CTR

MOSFET N-CH 415V 5MA SOT-223
CPC5603CTR P1
CPC5603CTR P1
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IXYS Integrated Circuits Division ~ CPC5603CTR

Numero di parte
CPC5603CTR
fabbricante
IXYS Integrated Circuits Division
Descrizione
MOSFET N-CH 415V 5MA SOT-223
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Scheda dati
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Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
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Numero di parte CPC5603CTR
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 415V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 5mA (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) -0.35V
Vgs (th) (Max) @ Id -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 300pF @ 0V
Vgs (massimo) ±20V
Caratteristica FET Depletion Mode
Dissipazione di potenza (max) 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 14 Ohm @ 50mA, 350mV
temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore SOT-223
Pacchetto / caso TO-261-4, TO-261AA

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