MIEB101H1200EH

IGBT MODULE 1200V 183A QUAD
MIEB101H1200EH P1
MIEB101H1200EH P1
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IXYS ~ MIEB101H1200EH

Numero di parte
MIEB101H1200EH
fabbricante
IXYS
Descrizione
IGBT MODULE 1200V 183A QUAD
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Scheda dati
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Famiglia
Transistor - IGBT - Moduli
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Numero di parte MIEB101H1200EH
Stato parte Active
Tipo IGBT -
Configurazione Full Bridge Inverter
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Corrente - Collector (Ic) (Max) 183A
Potenza - Max 630W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.2V @ 15V, 100A
Corrente - Limite del collettore (max) 300µA
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce 7.43nF @ 25V
Ingresso Standard
Termistore NTC No
temperatura di esercizio -40°C ~ 125°C (TJ)
Tipo di montaggio Chassis Mount
Pacchetto / caso E3
Pacchetto dispositivo fornitore E3

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