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| Numero di parte | IXFB170N30P |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 300V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 170A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 258nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 20000pF @ 25V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 1250W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 18 mOhm @ 85A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PLUS264™ |
| Pacchetto / caso | TO-264-3, TO-264AA |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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IXFB100N50P | IXYS | MOSFET N-CH 500V 100A PLUS264 | 178 | Dettagli | |
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IXFB100N50Q3 | IXYS | MOSFET N-CH 500V 100A PLUS264 | 0 | Dettagli | |
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IXFB110N60P3 | IXYS | MOSFET N-CH 600V 110A PLUS264 | 18 | Dettagli | |
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IXFB120N50P2 | IXYS | MOSFET N-CH 500V 120A PLUS264 | 45 | Dettagli | |
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IXFB132N50P3 | IXYS | MOSFET N-CH 500V 132A PLUS264 | 123 | Dettagli | |
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IXFB150N65X2 | IXYS | MOSFET N-CH 650V 150A PLUS264 | 0 | Dettagli | |
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IXFB170N30P | IXYS | MOSFET N-CH TO-264 | 0 | Dettagli | |
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IXFB210N20P | IXYS | MOSFET N-CH 200V 210A PLUS264 | 0 | Dettagli | |
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IXFB210N30P3 | IXYS | MOSFET N-CH 300V 210A PLUS264 | 79 | Dettagli | |
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IXFB300N10P | IXYS | MOSFET N-CH 100V 300A PLUS264 | 0 | Dettagli | |
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IXFB30N120P | IXYS | MOSFET N-CH 1200V 30A PLUS264 | - | 0 | Dettagli |
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IXFB30N120Q2 | IXYS | MOSFET N-CH 1200V 30A PLUS264 | - | 0 | Dettagli |