GWS4621L

MOSFET 2N-CH
GWS4621L P1
GWS4621L P1
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Renesas Electronics America Inc. ~ GWS4621L

Numero di parte
GWS4621L
fabbricante
Renesas Electronics America Inc.
Descrizione
MOSFET 2N-CH
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Scheda dati
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Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Array
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Numero di parte GWS4621L
Stato parte Obsolete
Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Caratteristica FET Standard
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 10.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9.8 mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 11nC @ 4V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1125pF @ 10V
Potenza - Max 3.6W (Ta)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso 4-XFLGA, CSP
Pacchetto dispositivo fornitore 4-WLCSP (1.82x1.82)

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