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| Numero di parte | SPD03N60C3 |
|---|---|
| Stato parte | Not For New Designs |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 3.2A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.9V @ 135µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 400pF @ 25V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 38W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.4 Ohm @ 2A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO252-3 |
| Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
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SPD01N60C3BTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 0.8A TO-252 | - | 0 | Dettagli |
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SPD02N50C3 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 560V 1.8A DPAK | 0 | Dettagli | |
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SPD02N50C3BTMA1 | Infineon Technologies | LOW POWER_LEGACY | 0 | Dettagli | |
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SPD02N60C3BTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 1.8A DPAK | - | 0 | Dettagli |
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SPD02N60S5BTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 1.8A TO-252 | - | 0 | Dettagli |
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SPD02N80C3ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 800V 2A 3TO252 | 0 | Dettagli | |
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SPD02N80C3BTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 800V 2A TO-252 | - | 0 | Dettagli |
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SPD03N50C3 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 560V 3.2A DPAK | 0 | Dettagli | |
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SPD03N50C3ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 500V 3.2A DPAK | 0 | Dettagli | |
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SPD03N50C3BTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 560V 3.2A DPAK | - | 17317 | Dettagli |
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SPD03N60C3 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 3.2A DPAK | 5000 | Dettagli | |
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SPD03N60C3ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 3.2A DPAK | 0 | Dettagli |