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| Numero di parte | SN7002W E6433 |
|---|---|
| Stato parte | Obsolete |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 230mA (Ta) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.8V @ 26µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1.5nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 45pF @ 25V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 500mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5 Ohm @ 230mA, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PG-SOT323-3 |
| Pacchetto / caso | SC-70, SOT-323 |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
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SN7002N E6327 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 200MA SOT-23 | 0 | Dettagli | |
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SN7002N E6433 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 200MA SOT-23 | 0 | Dettagli | |
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SN7002N L6327 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 200MA SOT-23 | 0 | Dettagli | |
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SN7002NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23 | - | 3000 | Dettagli |
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SN7002NH6327XTSA2 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23 | - | 15000 | Dettagli |
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SN7002NH6433XTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23 | - | 0 | Dettagli |
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SN7002NL6433HTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 200MA SOT-23 | 0 | Dettagli | |
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SN7002W E6327 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-323 | - | 0 | Dettagli |
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SN7002W E6433 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-323 | - | 0 | Dettagli |
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SN7002W L6327 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-323 | - | 0 | Dettagli |
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SN7002W L6433 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-323 | - | 0 | Dettagli |
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SN7002WH6327XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-323 | 12000 | Dettagli |